省重大科技成果 浙大科创中心氧化镓系列入选

　　本报讯（首席记者 周珂 通讯员 孔晓睿）日前，浙江省科技厅公布2025年度重大科技成果，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院的氧化镓系列成果入选。

　　被誉为“第四代半导体”的氧化镓，凭借其更耐高温、更耐高压、性能更优等特性，成为下一代电力电子器件领域的“理想材料”，备受全球关注。然而，氧化镓单晶的“成长之路”并非一帆风顺。这种材料天生“娇贵”，在高温熔融状态下性质很不稳定，用主流方法很难让它规规矩矩地结晶。同时，它的结晶过程就像在锻造一件精密瓷器，对“火候”（温度）和环境的要求极高，稍有偏差，晶体就会产生缺陷甚至碎裂，难以得到完整、高质量的单晶。因此，稳定制备大尺寸氧化镓单晶的挑战，曾是其迈向大规模应用的主要瓶颈。

　　今年初，科创中心及其孵化的科技企业——杭州镓仁半导体有限公司共同发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。该成果可与现有硅基芯片厂的8英寸产线兼容，为氧化镓从实验室走向规模化应用奠定了坚实基础。值得一提的是，该8英寸氧化镓单晶是科创中心和镓仁半导体采用完全自主创新的铸造法实现的。此类铸造法由中国科学院院士、科创中心首席科学家杨德仁院士团队自主研发，拥有完全自主知识产权，突破了国外技术封锁。

　　自2022年开始，科创中心的研发团队先后成功制备了2英寸、4英寸、6英寸的氧化镓单晶，不断刷新行业纪录。在这一过程中，镓仁半导体应运而生，成为“科学家创业”的典型代表。

　　近年来，科创中心全力以赴“搭台筑巢”，大力推进教育、科技、人才一体改革，深化科技创新和产业创新深度融合，围绕先进材料等重点领域集中发力，持续产出具有引领性和支撑性的重大成果，为培育新质生产力注入了强劲动能。