当下DRAM市场供不应求的状况给下游客户和行业带来了极大挑战。11月23日，第二十二届中国国际半导体博览会（IC China 2025）在北京国家会议中心开幕。在同期举办的第七届全球IC企业家大会上，长鑫科技集团股份有限公司市场中心负责人骆晓东表示，中国需要稳定国产DRAM（动态随机存取存储芯片）产能供应，减少对海外厂商的依赖。
国产DRAM发展面临三大壁垒
DRAM内存芯片是数字时代不可或缺的基础元件。骆晓东表示，在过去几十年里，市场不断变革，从PC时代到移动手机时代，再到数据中心以及最近非常热门的人工智能时代，产业周期的需求也伴随着结构升级而持续演变。
骆晓东认为，DRAM产业具备三个明显特征：一是高投资，每条DRAM产线动辄需要投入数百亿美元，涵盖设备、厂房建设、研发等各个环节，资本壁垒极高；二是高垄断，在过去几年，全球几十家DRAM厂商的市场份额都在缩减，三大厂商（SK海力士、三星电子和美光科技）占据90%以上的市场份额，行业集中度非常高；三是强周期，DRAM价格随供需变化会出现巨大波动，产业周期波幅远超其他行业。
“最近存储行业进入了一个所谓的‘超级周期’。在这个由AI需求爆发所带来的新周期内，DRAM需求呈现爆发式增长，产能增加远远跟不上需求增加，这对市场供给和价格变化都带来了巨大影响。”骆晓东说道。他指出，当下DRAM市场供不应求的状况给下游客户和行业带来了极大挑战。中国需要有非常稳定的国产DRAM产能供应，通过产能提升和规模效应来减少对海外厂商的依赖。
骆晓东表示，回顾国产DRAM发展史，产业发展长期面临三大壁垒：其一是技术壁垒，自1970年英特尔推出首款DRAM芯片C1103奠定行业基础以来，竞争格局虽不断变化，但资本垄断的本质从未改变，海外厂商通过差异化技术路线构筑了极高的技术壁垒；其二是人才稀缺，经过数十年，行业沉淀形成了封闭的人才体系，在此背景下，中国本土的DRAM设计、生产、研发及运营等方面的人才均非常欠缺；第三是市场壁垒，DRAM作为大宗商品，新玩家既要突破资本门槛，更要应对巨头通过规模优势、价格策略及产能调控带来的市场波动。
技术脱离市场便是无源之水
据了解，作为已经实现大规模量产的DRAM厂商，长鑫填补了国内DRAM的产业空白。经过过去9年的持续突破，长鑫在技术及产品上实现了持续创新与演进。
在产线建设方面，长鑫在合肥、北京建成了两大生产基地。其中，合肥生产基地作为国内集成电路产业集群的核心承载地，已集聚众多产业链企业，形成了涵盖设计、制造、封装、测试、装备、材料的全产业链格局。北京生产基地则依托京津冀产业集群，快速链接上下游资源，并凭借产学研协同紧密的优势，为DRAM技术迭代与高端人才引育提供核心支撑。
在产品方面，长鑫目前已完成从DDR4到DDR5、从LPDDR4X到LPDDR5X的产能与技术双重迭代，为市场与产业升级提供创新的存储解决方案。
关于DDR产品线：长鑫已首发国产自主设计生产的DDR5产品，最高速率达8000Mbps，有效缓解高算力需求下的“内存墙”瓶颈；同时，其24Gb的单颗大容量为构建高密度服务器模组提供支持，响应数据中心对海量数据处理的迫切需求。长鑫还推出七大模组矩阵，以适配多元场景的海量算力需求。
关于LPDDR产品线：长鑫于今年10月推出的LPDDR5X最高速率达到10667Mbps，跃居世界顶尖水平，产品提供12GB至32GB的多种容量组合，并通过封装创新满足手机小型化、轻薄化以及端侧算力提升的需求。
基于对市场趋势的深度分析，骆晓东判断，LPDDR5X和DDR5将作为移动和服务器市场的双引擎，在未来几年扮演重要角色，并带动整个行业升级。
“过去，尔必达因过度执着于技术迭代，而忽视市场需求变化与成本控制，最终陷入困境。这一教训让我们坚信，技术脱离市场便是无源之水，市场缺少技术则无进阶之力。”骆晓东表示，我们要以突破物理边界的魄力探索未来，更要以顺应产业趋势的务实态度笃行不怠，在超高速率的移动赛道树立国产标杆，用稳定安全为服务器生态筑牢算力根基，让技术创新贴合市场脉搏，让产品落地回应真实需求。
骆晓东指出，“在内存芯片本土化的进程中，长鑫既要做敢闯敢试的破局者，也要做脚踏实地的深耕者，始终坚持‘技术贴合市场方能行稳致远’的初心，为中国半导体的自主崛起书写创新篇章。”