斥资22.62亿元扩产立昂微加码12英寸重掺衬底片

本报讯 11月18日，杭州立昂微电子股份有限公司（以下简称“立昂微”）发布对外投资公告，宣布其控股子公司金瑞泓微电子（衢州）有限公司（以下简称“金瑞泓微电子”）与衢州智造新城管理委员会签署《投资协议书》，计划在现有厂房内投资建设“年产180万片12英寸重掺衬底片项目”，项目总投资额达22.62亿元。

根据公告，本次扩产项目将利用约19000平方米厂房面积进行局部改造，通过购置单晶炉、抛光机等国内外先进设备，形成年产180万片12英寸重掺衬底片的生产能力。项目总投资中，固定资产投资占比达21.96亿元，计划于2025年12月31日前完成开工准备，整体建设周期约60个月，采取分阶段建设、分阶段投入、分阶段产出的模式推进，预计每年投入金额约3.5亿元。

当前，新能源汽车、AI服务器、储能等新兴产业飞速发展，高端功率器件市场对重掺砷、重掺磷等系列的厚层、埋层等特殊规格硅外延片需求迫切。本次项目生产的12英寸重掺衬底片，正是制备此类高端产品的核心材料，终端可广泛应用于AI服务器不间断电源、储能变流器、充电桩、工业电子及汽车电子等领域。

技术层面，金瑞泓微电子已掌握12英寸硅片成套工艺核心技术，项目将采用自主开发的重掺杂直拉硅单晶制备、微量掺锗直拉硅单晶等关键技术，确保产品性能满足高端市场需求。值得关注的是，该项目可与金瑞泓微电子现有“年产180万片12英寸半导体硅外延片项目”形成上下游配套，构建从衬底片到外延片的一体化生产能力，有效优化产品结构、提升产品丰富度。

立昂微指出，项目实施后将显著提升公司重掺系列硅片生产能力，有助于巩固市场头部地位，同时将提高我国半导体硅片的自主化水平，匹配国内晶圆厂发展需求，提升整个半导体产业链竞争力。（跃 讯）