兼具DRAM与NAND优势 新型存储器UltraRAM即将量产

本报讯 近日，英国半导体公司Quinas Technology与晶圆制造商IQE plc历经一年合作，成功将新型存储器产品UltraRAM推进至量产前夕。UltraRAM结合DRAM的高速运作与NAND的非挥发性，具备高达4000倍于NAND的耐用度、低于1飞焦耳（fJ）的超低切换能耗，与长达1000年的资料保存能力，预期将给存储器市场带来深远影响。

技术核心在于锑化镓（GaSb）及锑化铝（AlSb）的先进磊晶（epitaxy）制程，在全球范围首创实现工业规模生产。IQE执行长Jutta Meier指出，这套可扩展的磊晶制程是UltraRAM推向工业化包装晶片的关键里程碑，也代表英国在复合半导体材料和存储器领域实现重大突破。

Quinas执行长James Ashforth-Pook强调，该合作标志着从大学科研到商业化存储器产品的重要转折。此一计划由英国创新署提供约110万英镑资助，致力于构建英国半导体主权能力，以因应全球AI、量子运算与国防等应用对低能耗、高效能存储器的殷切需求。

在技术特性方面，UltraRAM利用非挥发性存储的特性，实现非破坏性读取与无须刷新（truly non-volatile with no refresh），切换能耗比DRAM低100倍，比传统快闪存储器低上千倍，甚至低于众多新兴存储器技术1万倍以上，具备能效优势。

未来，Quinas与IQE将与多家晶圆厂探讨试产机会，期望在200毫米晶圆厂级别完成制造转移，推动UltraRAM进入人工智慧运算、行动装置与资料中心等关键领域。（包 讯）