SK海力士宣布 321层2Tb QLC NAND量产

本报讯 近日，SK海力士宣布，公司成功开发出业界首款321层2Tb QLC NAND并已启动量产。这标志着该公司在存储器技术路线上的又一次重大突破，正式将NAND堆叠层数推向300层以上的全新时代。

此次新产品在容量、性能与能效上均实现全面提升。其容量相比现有产品翻倍至2Tb，同时通过将NAND内部的平面架构由“四平面”扩展至“六平面”，有效增强了并行处理能力，显著缓解了超大容量芯片在读写过程中常见的性能瓶颈。

在性能表现上，该产品的数据传输速度实现了翻倍，写入性能提升最高56%，读取性能提升18%。在能效方面，数据写入的功耗效率较上一代提升超过23%，尤其适用于低功耗需求突出的AI数据中心、云计算平台等场景。

根据规划，SK海力士将率先在PC端固态硬盘（PC SSD）中应用321层QLC NAND，随后逐步拓展至企业级固态硬盘（eSSD）和智能手机嵌入式存储（UFS）产品。凭借其独有的32层NAND芯片堆叠封装技术，该产品的集成度相比现有方案提升一倍以上，将为AI服务器市场的超高容量eSSD提供坚实支撑。

SK海力士相关负责人表示：“我们率先实现了300层以上QLC NAND的开发，打破了行业技术极限。这款产品在全球NAND存储器中拥有最高集成度，并已进入客户验证阶段。预计将在明年上半年正式进入AI数据中心市场，进一步巩固公司在超高容量存储领域的领先地位。”（杨鹏岳）