我国科研团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展

　　记者18日从华中科技大学了解到，该校材料成形与模具技术全国重点实验室教授翟天佑团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展，研制了一种具有边缘接触特征的新型二维浮栅晶体管器件，与现有商业闪存器件性能对比，其擦写速度、循环寿命等关键性能均有提升。

　　“通过对比传统面接触电极与新型边缘接触，该研究说明了优化制备二维浮栅存储器件内金属-半导体接触界面对改善其擦写速度、循环寿命等关键性能有重要作用。”翟天佑说。

　　这一成果以《基于相变边缘接触的高速、耐久二维浮栅存储器》为题，于近日在线发表在国际学术期刊《自然·通讯》上。

　　（据新华社电）