■ 记者 王宏超
本报讯 近日，芯联集成发布全新碳化硅G2.0技术平台。记者了解到，其采用8英寸先进制造技术，已达到同类技术的领先水平，全面覆盖电驱与电源两大核心应用场景，这将助力企业打破新能源汽车的单一主要应用市场，向AI数据中心电源领域进军。
“全新碳化硅G2.0技术平台通过器件结构与工艺制程的双重优化，实现‘高效率、高功率密度、高可靠’三大核心目标。”芯联集成董事长赵奇表示，随着大模型训练、自动驾驶、智能制造等应用的快速推进，全球算力需求正迈入指数级增长通道，直接带动AI服务器与数据中心建设热潮。在这种趋势下，新能源汽车不再是碳化硅MOSFET的单一主要应用市场，下一个大的应用领域将是AI数据中心电源系统。
据介绍，碳化硅属于第三代半导体中的“明星选手”，凭借其独特的物理和化学特性，成为推动新能源、5G通信等领域技术升级的关键材料。而在新能源汽车领域实现碳化硅规模化应用后，AI算力爆发催生的高效电源需求正成为第三代半导体产业的新增长引擎。业内专家认为，传统电源方案下，器件开关损耗高，在高功率密度场景下效率与散热瓶颈凸显。而碳化硅材料凭借高导热、高击穿电压、快速开关速度等优异特性，成为解决AI数据中心电源效率与散热瓶颈的核心方案。在电驱领域，碳化硅G2.0电驱版凭借更低导通损耗与优异开关软度，功率密度提升20%，可显著增强新能源汽车主驱系统动力输出与能效表现。在电源应用场景中，该平台针对性优化寄生电容设计，通过封装优化强化散热，开关损耗可降低30%，兼具强化的动态可靠性设计，实现电源转换效率与系统功率密度大幅提升。
目前，在AI数据中心电源领域，芯联集成已构建起一站式芯片系统代工解决方案，形成了显著的产品协同优势，特别是在技术、产能、生态三大维度的厚积薄发。技术层面，公司已完成碳化硅产品技术迭代，良率和性能参数达到先进水平，通过新能源汽车领域量产经验形成了全面成熟的产品体系。产能层面，国内首条8英寸碳化硅MOS产线已实现批量量产，能够满足AI服务器电源规模化应用的产能需求。生态层面，公司构建了“联合定义、协同研发、风险共担”模式，设立AI联合实验室，建立符合供应商管理准入体系，并通过专利共享、联合研发等方式降低研发风险，提升技术落地效率。
技术创新是释放产业红利的关键。近年来，芯联集成在碳化硅业务领域展现出强劲增长势头。2024年，公司碳化硅模块收入突破10亿元，同比增长超100%。基于当前发展态势，公司预计2025年该业务仍将实现50%以上增长。