長鑫存儲第五代技術平台量產

長鑫存儲第五代技術平台量產



長鑫存儲展示的最新產品 （中新社）

長鑫存儲第五代技術平台量產

【中新社合肥二十日電】長鑫存儲技術有限公司二十日在二○二六世界製造業大會宣佈第五代DRAM技術平台（下稱“G5平台”）實現量產，同步展出基於該平台打造的大容量LPDDR5X新品。

據介紹，該平台工藝水平比肩行業頂尖量產工藝節點，是長鑫存儲在高端存儲技術路線上的里程碑式突破，將為全球存儲產業提供更具創新性、更具供應鏈韌性的解決方案選擇。

微縮工藝突破

G5平台在關鍵工藝維度實現了多項行業領先的技術突破。例如，依託創新的四重曝光技術把內存陣列的有源區半間距微縮至十一點九五納米，開發適配DRAM工藝的高介電常數金屬柵(HKMG)工藝，成功將G5平台核心功能區高度縮小到六千七百六十二納米。

研發過程中，長鑫存儲在現有工藝模塊的基礎上，創造了獨特的數字孿生系統，貫穿包括設計、開發、製造、維護等全生命周期的產品研發過程，在這一虛擬研發線中，搭建先進DRAM工藝模型，加速研發進程。同時，在界面工程、鞍形鰭式結構、低k間隔層位線等核心工藝上實現突破。

G5微縮工藝的突破推動存儲密度實現跨越式提升：每片晶圓產出裸片數量較第四代平台提升至少百分之五十，在產品能效、成本控制上均具備顯著優勢。

本次大會同步展出兩款基於G5平台打造的LPDDR5X量產產品，單顆容量均為24Gb，較上一代同類型產品提升百分之五十，分別採用496Ball、245Ball封裝規格，可適配中高端智能手機、便攜式消費電子等不同場景需求，目前均已進入規模量產階段。