本报讯 （记者 丁建峰）8月10日，记者从自治区工业和信息化厅获悉，中欣晶圆统筹浙江丽水、宁夏银川两大生产研发基地开展双线同步攻坚，近日取得关键技术突破，成功拉制出该公司首根12英寸重掺砷、重掺硼〈111〉晶棒。这是在高端特种重掺硅片领域中的重大成果，不仅攻克了大尺寸重掺〈111〉晶棒的多项行业工艺难题，更完善了国产12英寸高端重掺硅片产品矩阵，有效推动高端半导体硅材料国产化替代进程。
据介绍，本次拉制的两款晶棒分别涵盖N型（重掺砷）与P型（重掺硼）两种导电类型，目标电阻率覆盖mΩ·cm级低阻范围，可满足高端功率器件对外延衬底低阻、高均匀性的严苛要求。在协作攻关中，丽水工厂重点攻关重掺硼〈111〉晶棒拉制工艺，银川工厂专注重掺砷〈111〉晶棒的研发试制，两大基地分工明确、优势互补，成功攻克大尺寸重掺〈111〉晶棒生长过程中晶格缺陷、掺杂不均、成型难度大等行业痛点，晶棒径向电阻率均匀性、体缺陷密度等关键指标达到预期目标。
〈111〉晶向硅单晶是功率半导体领域不可或缺的特种衬底核心材料，当前12英寸大硅片市场中，行业量产产品以〈100〉〈110〉晶向为主。相比之下，〈111〉晶向在重掺杂条件下具有更好的晶格完整性保持能力，电学性能更加稳定，能够充分适配高端功率半导体、AI配套芯片的严苛工况。随着高端功率器件持续迭代、AI芯片与高压功率芯片产业化提速，下游市场对12英寸重掺砷、重掺硼〈111〉硅片的定制化需求攀升，高端细分市场供需缺口不断扩大，本次研发成功，将有效提升我国高端特种重掺硅片产业链供应链自主可控水平。
7月23日，自治区工业和信息化厅正式发布2026年工业领域产业创新关键技术揭榜攻关项目立项名单，25个项目获得立项支持，其中，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司联合北方民族大学攻关的“高品质300mm重掺磷单晶硅拉制关键技术研发与产业化应用”获得自治区工信厅立项大力支持，这标志着企业在重掺硅片领域的产品攻关正加速向纵深拓展。