12英寸碳化硅外延设备实现国产化交付

　　本报讯 （记者 冯楠） 日前，浙江晶盛机电股份有限公司在碳化硅（SiC）核心装备领域取得重要突破——12英寸单片式碳化硅外延生长设备正式交付，对象为全球头部碳化硅外延晶片生产商瀚天天成。这一技术成果的落地，将推动碳化硅产业链向更大尺寸、更高效率、更低成本方向演进，为我国在全球宽禁带半导体领域的自主可控与产业升级提供重要支撑。

　　作为第三代半导体的核心材料，碳化硅在新能源汽车、5G通信设备、AI数据中心等高压高温应用场景中具备不可替代的技术优势。而大尺寸外延设备及衬底的成熟制备，正是降低碳化硅应用成本、推动其大规模商业化落地的关键环节。此次交付的12英寸单片式碳化硅外延设备，实现了从6英寸、8英寸到12英寸技术的连续突破，而且其兼容8英寸与12英寸外延生产的特性，又进一步提升了设备应用的灵活性。

　　据介绍，在技术创新方面，该设备采用独创的垂直分流进气方案，实现了晶圆表面温度高精度闭环控制、工艺气体精确分区控制等关键技术突破。同时，设备配备自动化上/下料模块及一键自动PM辅助功能，在提升颗粒控制能力的同时，也大幅优化了设备维护效率。值得关注的是，此次交付设备所使用的12英寸碳化硅衬底由晶盛机电旗下浙江晶瑞SuperSiC提供，形成了设备与衬底的国产化协同供应模式。

　　而且，经实际应用验证，依托该设备生产的碳化硅外延晶片在关键性能指标上达到行业领先水平：外延层厚度不均匀性控制在3%以内，掺杂不均匀性控制在8%以内，2毫米×2毫米芯片良率超过96%，为后续大规模商业化应用奠定了坚实基础。

　　当前，第三代半导体产业需求持续增长，碳化硅材料市场空间不断扩大。此次12英寸碳化硅外延设备的成功交付与应用，标志着晶盛机电在碳化硅核心装备与材料领域的自主研发能力跻身行业前列。未来，晶盛机电将坚持创新驱动，与产业链上下游伙伴协同合作，共同构建自主可控的第三代半导体产业生态体系，为我国高水平科技自立自强、建设制造强国提供产业支撑。